ปักกิ่ง, 5 พ.ค. (ซินหัว) — เมื่อวันอังคาร (4 พ.ย.) สถาบันฟิสิกส์ สังกัดสถาบันบัณฑิตวิทยาศาสตร์จีน (CAS) เปิดเผยว่าคณะนักวิจัยจีนได้ค้นพบกลไกใหม่ในการพัฒนาอุปกรณ์หน่วยความจำไม่ลบเลือน (non-volatile memory) ที่มีความเร็วสูงพิเศษ
การพัฒนาอุปกรณ์หน่วยความจำไม่ลบเลือนสมรรถนะสูงมีบทบาทสำคัญในด้านนวัตกรรมอิเล็กทรอนิกส์ยุคใหม่ โดยอุปกรณ์หน่วยความจำไม่ลบเลือนชนิดต่างๆ ซึ่งรวมถึงหน่วยความจำอ่านอย่างเดียว หรือ รอม (ROM) และหน่วยความจำแบบแฟลช (flash memory) มีความจุและความน่าเชื่อถือด้านกลไกสูง แต่ยังถูกจำกัดด้วยอัตราส่วนเอ็กซ์ทิงชัน (extinction ratio) และความเร็วปฏิบัติการที่ต่ำ
คณะนักวิจัยจากสถาบันฟิสิกส์ได้พัฒนาอุปกรณ์หน่วยความจำไม่ลบเลือนแบบโฟลติงเกต (floating-gate) ที่มีความเร็วสูงพิเศษ ขึ้นจากโครงสร้างแบบเฮเทอโรของแวนเดอร์วาลส์ (vdWH) ที่องค์ประกอบการทำงานที่แตกต่างกันนั้นมีรอยต่อในระดับอะตอม โดยมีอัตราส่วนเอ็กซ์ทิงชันสูงถึง 1 หมื่นล้าน
อุปกรณ์หน่วยความจำชนิดนี้สามารถบรรลุการอ่านและเขียนภายในช่วงเวลา 20 นาโนวินาทีได้ และเก็บรักษาข้อมูลได้อย่างน้อย 10 ปี ขณะที่อุปกรณ์หน่วยความจำแบบแฟลชที่ใช้เชิงพาณิชย์ในปัจจุบัน อ่านและเขียนข้อมูลได้ในช่วงเวลา 100 ไมโครวินาที หรือ 100,000 นาโนวินาที
โครงสร้างแบบเฮเทอโรของแวนเดอร์วาลส์ ถูกสร้างโดยการเรียงวัสดุหลายชั้นซ้อนกัน และสามารถนำมาใช้ในสาขาการวิจัยหลายอย่างตั้งแต่วัสดุศาสตร์ไปจนถึงไฟฟ้าเคมี
อนึ่ง การวิจัยดังกล่าว ซึ่งได้รับทุนสนับสนุนจากมูลนิธิวิจัยวิทยาศาสตร์ธรรมชาติแห่งชาติจีน (NSFC) กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีของจีน และสถาบันบัณฑิตวิทยาศาสตร์จีน ได้รับการตีพิมพ์ทางออนไลน์ในวารสารเนเจอร์ นาโนเทคโนโลยี (Nature Nanotechnology) เมื่อวันจันทร์ (3 พ.ค.) ที่ผ่านมา
ขอบคุณที่มาของข้อมูล :
Xinhua
